ИНДИЯ АРСЕНИД - И́НДИЯ АРСЕНИ́Д, InAs, монокристаллический полупроводниковый материал (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ), относящийся к классу соединений AIIIBV.
Кристаллы арсенида индия имеют решетку сфалерита (см. типы кристаллических структур (см. СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ КРИСТАЛЛОВ)). Постоянная решетки при 300К равна 6,058А, относительная молекулярная масса 144,63, количество атомов в см3 - 3,96.1022. Плотность в твердом состоянии - 5,66 г/см3, в жидком состоянии (при температуре плавления) - 5,90 г/см3; температура плавления под давлением паров мышьяка tпл = 943 оС; равновесное давление паров мышьяка в точке плавления - 3,32.10-2 Мпа. Твердость по минералогической шкале - 4, коэффициент линейного расширения - 5,19.10-6К-1, диэлектрическая проницаемость (низкочастотная) - 14,55.
Арсенид индия имеет малую ширину запрещенной зоны - 0,36 эВ и высокую подвижность электронов. Высокая подвижность электронов позволяет получать на его основе приборы повышенной чувствительности.
Арсенид индия не растворяется в воде, хорошо поддается травлению концентрированной соляной кислотой, добавление азотной кислоты увеличивает скорость травления. При растворении арсенида индия в кислотах выделяется арсин (см. МЫШЬЯКА ГИДРИД). Окисление арсенида индия на воздухе начинается при температуре выше 450 оС. В вакууме при температурах выше 700 оС арсенид индия разлагается с выделением мышьяка.
Промышленным методом выращивания монокристаллов арсенида индия является метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (см. Методы выращивания кристаллов (см. МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ)). Монокристаллы выращивают диаметром 2 и 3 дюйма. Плотность дислокаций в кристаллах диаметром 2 дюйма ND 1,5.104 см-2.
Основная область применения - малолитражное производство разнообразных оптоэлектронных приборов - оптических фильтров, источников ИК-излучения, фотоприемников, фильтров, в производстве приборов с гальваномагнитными эффектами, для изготовления магниторезисторов и преобразователей Холла. Применяют также в приборах для измерения напряженности магнитного поля и других полупроводниковых приборах.